[发明专利]横向MOS晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710196472.9 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197369A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 房基完 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8234;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向MOS晶体管，该横向MOS晶体管可包括：第一器件隔离层，形成于半导体衬底中；第二器件隔离层，形成于半导体衬底中，其中第二器件隔离层具有与第一器件隔离层不同的宽度并且第二器件隔离层内还设置有蚀刻凹槽；栅极绝缘层，形成于蚀刻凹槽中；栅极电极，形成于栅极绝缘层上；以及源极/漏极区域，水平设置于半导体衬底中，并靠近栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：第一器件隔离层，形成于半导体衬底中；第二器件隔离层，形成于所述半导体衬底中，所述第二器件隔离层具有与所述第一器件隔离层不同的宽度，且所述第二器件隔离层内设置有蚀刻凹槽；栅极绝缘层，形成于所述蚀刻凹槽中；栅极电极；形成于所述栅极绝缘层上；以及源极/漏极区域，水平设置在所述半导体衬底中，并靠近所述栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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