[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200710196482.2 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197394A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;池田佳寿子;笹川慎也;须泽英臣 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置通过使用SOI衬底而制造，并且防止起因于设置为岛状的硅层的端部的缺陷且提高可靠性。该半导体装置具有如下结构：包括在支撑衬底上依次层合有绝缘层及岛状硅层的SOI衬底、设置在岛状硅层的一个表面上及侧面的栅绝缘层、以及中间夹着栅绝缘层而设置在岛状硅层上的栅电极。此时，对栅绝缘层来说，跟接触于岛状硅层的一个表面上的区域相比，接触于岛状硅层的侧面的区域的介电常数小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上的岛状单晶半导体层；接触于所述岛状单晶半导体层的顶面和侧面的栅绝缘层；以及在所述栅绝缘层上的栅电极，该栅电极被设置以横穿所述岛状单晶半导体层，其中，对所述栅绝缘层来说，跟接触于所述岛状单晶半导体层的顶面上的区域相比，接触于所述岛状单晶半导体层的侧面的区域的介电常数小。
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