[发明专利]制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法

摘要

提供了制造包括垂直沟道晶体管的半导体器件的方法和系统。通过隔离沟槽均匀地形成掩埋位线区。通过控制隔离物的厚度调节隔离沟槽的宽度。因此，和典型的掩埋位线相比，本发明掩埋位线的面积相对大。改进了所述掩埋位线的电阻特性，并确保了所述半导体器件的稳定性和可靠性。

主权项

1.一种制造具有垂直沟道晶体管的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成多个柱状物，其中在所述多个柱状物上形成硬掩模图案并且所述多个柱状物在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上对齐；在所述柱状物之间的衬底上形成位线杂质区域；在所得结构的整个区域上形成绝缘层，其中所述所得结构包括所述多个柱状物和所述位线杂质区域；在所述绝缘层上形成掩模图案，以暴露在所述第一方向上对齐的所述多个柱状物之间的衬底；利用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以形成用于暴露所述衬底的开口；在所述开口的侧壁形成隔离物以减小通过所述开口暴露的所述衬底的宽度；和通过蚀刻具有由所述隔离物减小了宽度的所述暴露的衬底来形成隔离沟槽。