[发明专利]光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法有效
申请号: | 200710301843.5 | 申请日: | 2007-12-18 |
公开(公告)号: | CN101183213A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 林雪惠;蔡居宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/84 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种光掩模及薄膜晶体管基板的制造方法。光掩模用以制造一薄膜晶体管基板。光掩模具有一第一曝光区、一第二曝光区及一第三曝光区。第二曝光区位于第一曝光区及第三曝光区之间。光掩模包括一第一周边线路图案、一第一虚拟引线图案、一第一重合像素图案及一第二重合像素图案。第一周边线路图案位于第一曝光区。第一虚拟引线图案位于第一曝光区,并邻接于第一周边线路图案。第一重合像素图案位于第一曝光区,并邻接于第一虚拟引线图案。第二重合像素图案位于第二曝光区,第一重合像素图案与第二重合像素图案互补。其中第一重合像素图案与第二重合像素图案重迭曝光后,第一曝光区与第二曝光区所曝光的图案相互接合。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模,用以制造一薄膜晶体管基板,该光掩模具有一第一曝光区、一第二曝光区及一第三曝光区,该第二曝光区位于该第一曝光区及该第三曝光区之间,其特征在于,该光掩模包括:一第一周边线路图案,位于该第一曝光区;一第一虚拟引线图案,位于该第一曝光区,并邻接于该第一周边线路图案;一第一重合像素图案,位于该第一曝光区,并邻接于该第一虚拟引线图案;以及一第二重合像素图案,位于该第二曝光区,该第一重合像素图案与该第二重合像素图案互补,其中该第一重合像素图案与该第二重合像素图案重迭曝光后,该第一曝光区与该第二曝光区所曝光的图案相互接合。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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