[发明专利]闪存器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710301896.7 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207091A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种闪存器件，通过减小或防止空隙产生从而提高了电气特性。根据本发明的实施方式的闪存器件的制造方法包括在半导体衬底上形成含有隧道氧化层、浮置栅、电介质层以及控制栅的多个栅极图案。在该栅极图案的侧墙上方形成间隔垫作为复合绝缘层结构。可在该控制栅两侧的半导体上方形成源/漏区。移除位于间隔垫层最外面的绝缘层。可通过形成和构图层间绝缘层在栅极图案之间形成接触孔。在该接触孔中形成接触插头。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成含有隧道氧化层、浮置栅、电介质层以及控制栅的多个栅极图案；在所述栅极图案侧墙上方形成具有复合绝缘层的复合间隔垫层；在所述栅极图案两侧的半导体衬底中形成至少一个源/漏区；移除所述复合间隔垫层的最外面的绝缘层；在所述半导体衬底上方通过形成和构图层间绝缘层在所述栅极图案之间形成接触孔；以及在所述接触孔形成接触插头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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