[发明专利]清洗半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710301897.1 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207017A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 尹竣九 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种清洗半导体器件的方法。该方法包括：使用有机溶剂而不使用去离子水进行化学清洗；使用异丙醇进行异丙醇清洗；通过在干燥机中插入半导体器件并随后喷射惰性气体到其上以同时干燥并清洗的干燥步骤。一种方法可清洗半导体器件而不使用去离子水，从而可通过避免应用去离子水充分防止半导体器件的侵蚀，同时从半导体器件充分去除污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包含：应用有机溶剂而不使用去离子水进行化学清洗所述半导体器件；应用异丙醇进行异丙醇清洗所述半导体器件；以及在干燥机中干燥所述半导体器件，并随后在所述半导体器件上喷射惰性气体，以同时干燥并清洗所述半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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