[发明专利]薄膜晶体管、包括它的有机发光器件、及其制造方法无效
| 申请号： | 200710302146.1 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101252149A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 曹圭湜;崔埈厚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括：形成于基板上的第一和第二欧姆接触，其中每个第一和第二欧姆接触都包含多晶硅；形成于第一和第二欧姆接触以及基板上的半导体，所述半导体包含微晶硅；形成于半导体上的阻挡件；形成于第一欧姆接触上的输入电极；形成于第二欧姆接触上的输出电极；形成于阻挡件、输入电极、和输出电极上的绝缘层；以及形成于绝缘层上并布置于半导体上的控制电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包括 有机 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：形成于基板上的第一和第二欧姆接触；形成于所述第一和第二欧姆接触以及所述基板上的半导体，所述半导体包含微晶硅；形成于所述半导体上的阻挡件；形成于所述第一欧姆接触上的输入电极；形成于所述第二欧姆接触上的输出电极；形成于所述阻挡件、所述输入电极、和所述输出电极上的绝缘层；以及形成于所述绝缘层上并布置于所述半导体上的控制电极。
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