[发明专利]薄型发光二极管装置的封装方法有效

专利信息
申请号: 200710302271.2 申请日: 2007-12-24
公开(公告)号: CN101471407A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 邹文杰 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/50
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;祁建国
地址: 台湾省台北县土*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种薄型发光二极管装置的封装方法,包含:提供基板,基板包含第一金属层、第二金属层及胶层,而胶层位于第一金属层上,且第二金属层位于胶层上;形成凹槽于第二金属层及胶层;形成第三金属层于第二金属层上及凹槽内;形成穿透线于凹槽底部并穿透第三金属层及第一金属层;利用覆晶方式将发光二极管晶粒与凹槽底部接合;贴附胶膜于第一金属层的下表面;置入基板于成形模中,成形模包含上模与下模,上模上覆于胶层上的第三金属层的上表面,且上模具有凸部对应于凹槽而构成模穴,下模下伏于基板;填入封装胶料至模穴中;移除成形模;移除胶膜;以及执行切割步骤以形成薄型发光二极管装置。
搜索关键词: 发光二极管 装置 封装 方法
【主权项】:
1、一种薄型发光二极管装置的封装方法,其特征在于,包含:提供一基板,所述基板包含一第一金属层、一第二金属层及一胶层,而所述胶层位于所述第一金属层上,且所述第二金属层位于所述胶层上;形成一凹槽于所述第二金属层及所述胶层;形成一第三金属层于所述第二金属层上及所述凹槽内;形成一穿透线于所述凹槽底部并穿透所述第三金属层及所述第一金属层;利用覆晶方式将所述发光二极管晶粒与所述凹槽底部接合;贴附一胶膜于所述第一金属层的下表面;置入所述基板于一成形模中,其中所述成形模包含一上模与一下模,所述上模上覆于所述胶层上的所述第三金属层的上表面,且所述上模具有一凸部对应于所述凹槽而构成一模穴,所述下模下伏于所述基板;填入一封装胶料至所述模穴中;移除所述成形模;移除所述胶膜;以及执行切割步骤以形成所述薄型发光二极管装置。
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