[发明专利]一种降低欧姆压降的芯片及其方法无效
| 申请号： | 200710304294.7 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101221951A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘健;祝侃;杨柱 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低欧姆压降的芯片，包括：电压调制器，集成于芯片内部；至少一个电源管脚，设置于芯片周围；所述电压调制器的输出连接至所述电源管脚，所述电源管脚互相连接并接入芯片的供电网。本发明还提供了相应的降低芯片的欧姆压降的方法。根据本发明的芯片及其方法可以有效地降低芯片的欧姆压降，并且简单且易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 欧姆 芯片 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片，包括：电压调制器，集成于芯片内部；至少一个电源管脚，设置于芯片周围；所述电压调制器的输出连接至所述电源管脚，所述电源管脚互相连接并接入芯片的供电网。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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