[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710305124.0 申请日: 2007-09-26
公开(公告)号: CN101257028A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 金英一;柳春基;金奉柱 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种薄膜晶体管基板及制造TFT基板的方法,其能够简化制造工艺并保护栅驱动器不被侵蚀。薄膜晶体管基板包括:包括显示区域和非显示区域的绝缘基板,包括在显示区域中绝缘基板上形成的第一栅电极的栅金属图形,在栅金属图形上形成的栅绝缘层,在栅栅绝缘层上形成的与第一栅电极交叠的第一半导体图形,包括连接到第一半导体图形两端的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形,连接到第一漏电极并形成在栅绝缘层上的透明导电图形,和形成在第一半导体图形和数据金属图形上的保护层。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种薄膜晶体管基板,包括:绝缘基板,包括显示区域和非显示区域;栅金属图形,包括形成在该显示区域中该绝缘基板上的第一栅电极;栅绝缘层,形成在该栅金属图形上;第一半导体图形,形成在该栅绝缘层上与该第一栅电极交叠;数据金属图形,包括连接到该第一半导体图形的两端的第一源电极和第一漏电极;透明导电图形,连接到该第一漏电极并形成在该栅绝缘层上;和保护层,形成在该第一半导体图形和该数据金属图形上。
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