[发明专利]具有有利于不同导电率类型区域的栅的浮体存储单元有效
| 申请号： | 200710305369.3 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101207155A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿夫奇;P·L·常;D·L·肯克;I·班 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了一种用于制作浮体存储单元(FBC)的方法以及其中采用有利于不同导电率类型区域的栅的所得FBC。在一个实施例中，具有较厚绝缘的p型背栅与较薄绝缘的n型前栅配合使用。描述了对于未对齐进行补偿的处理，这允许制作不同氧化物和栅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有利于 不同 导电 类型 区域 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：半导体翼片；在所述翼片的一侧设置的第一栅结构；在所述翼片的对侧设置的第二栅结构；以及所述第一或第二结构其中之一比所述栅结构中的另一个栅结构具有用于使电荷保持在所述翼片中的更有利特性。
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