[发明专利]用于减小芯片面积的半导体器件结构及其制备方法无效
申请号: | 200710307073.5 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101211923A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 李勇勤 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L23/522;H01L21/8244;H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种通过改变上拉晶体管和下列晶体管的连接结构来减小芯片面积的用于制备半导体器件的方法。该半导体器件可以包括含第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的上拉和下拉晶体管,顺序串联布置的该第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管在SRAM上形成,以及在该各个上拉晶体管和下拉晶体管之上形成的线式触点和金属线路。为了将包含第一下拉晶体管和第一上拉晶体管的反相器连接到相对反相器,通过金属线路将在第一下拉晶体管和第一上拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接,而为了将包含第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的反相器连接到相对反相器,通过金属线路将在第二上拉晶体管和第二下拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接。 | ||
搜索关键词: | 用于 减小 芯片 面积 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:在SRAM之上串联布置的第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管;以及在各个上拉和下拉晶体管之上形成的多个线式触点和金属线路,其中为了将由所述第一下拉晶体管和第一上拉晶体管形成的反相器连接到相对反相器,通过金属线路将在所述第一下拉晶体管和第一上拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接,而为了将由所述第二上拉晶体管和第二下拉晶体管形成的反相器连接到相对反相器,通过金属线路将在所述第二上拉晶体管和第二下拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的