[发明专利]半导体器件电容制备方法无效
| 申请号： | 200710307075.4 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211849A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 安正豪 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种能够实现半导体器件的氧化物电容和多晶硅－绝缘体—多晶硅(PIP)电容的同步使用的半导体器件电容制备方法，取决于使用或不使用金属线路端子。该半导体器件电容制备方法可以包括：在半导体衬底之上形成有源区和第一栅极，在部分第一栅极之上沉积在其上将形成电容的氮化硅层，在氮化硅层之上形成第二栅极，在所获结构之上相继形成第一绝缘层和第二绝缘层，以及形成通过第一绝缘层和第二绝缘层延伸的用于晶体管和电容的线路端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底中形成有源区、P-阱和至少一个浅槽隔离区；在半导体衬底之上形成第一栅极；在第一栅极之上形成第一光刻胶图形；在部分光刻胶图形之上沉积氮化硅层；在氮化硅层之上形成第二栅极；在半导体衬底之上顺序形成第一绝缘层和第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上形成第二光刻胶图形；形成通过所述第一绝缘层和第二绝缘层延伸的多个孔；以及随后通过形成用于晶体管的线路端子完成半导体器件的形成以及通过以金属材料填充这些孔完成电容的形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
