[发明专利]半导体器件中栅电极的形成方法无效
| 申请号： | 200710307127.8 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101217113A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴相录;刘载善 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件中的栅电极的方法，所述方法包括提供衬底，在衬底上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成第一和第二导电层，在第二导电层上形成硬掩模图案，使用硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻第二导电层，进行氧化过程以在蚀刻的第二导电层的侧壁上形成抗氧化层，和使用硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻第一导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件中的栅电极的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一导电层，并且在所述第一导电层上形成第二导电层；在所述第二导电层上形成硬掩模图案；使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第二导电层；进行氧化过程以在所述蚀刻的第二导电层的侧壁上形成抗氧化层；和使用所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
