[发明专利]超薄芯片尺寸封装结构及其方法无效
| 申请号： | 200710307524.5 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211874A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露超薄芯片尺寸封装结构及其方法。超薄芯片尺寸封装结构包含基板；晶圆，其附有具复数接合垫的复数个晶粒；第一介电层；穿透导电层；第二介电层；重分布层导线；以及导电凸块，其依序形成于晶圆上。本发明因将封装结构的尺寸最小化，故可提供超薄芯片尺寸封装结构。特别是用于制造超薄芯片尺寸封装的方法包含切割晶圆，背面研磨晶圆的背侧，以及蚀刻基板的背侧，以提供超薄芯片尺寸封装结构。因此，本发明可最小化封装结构尺寸以及有效改善制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 超薄 芯片 尺寸 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述的超薄芯片尺寸封装结构包含：一基板；复数晶粒，其具有复数接合垫形成于其上；一第一介电层，其形成于所述的复数晶粒上以暴露所述的接合垫的部分表面；一连通导电层，其填充所述的第一介电层间的空隙内；一重分布层导线，其形成于所述的连通导电层及所述的第一介电层上；一第二介电层，其形成于所述的第一介电层及所述的重分布层导线上以暴露所述的重分布层导线的部分表面；复数导电凸块，其形成于所述的第二介电层间的空隙上；以及一覆盖保护层，其形成于所述的基板之下；其中所述的复数导电凸块透过所述的连通导电层及所述的复数重分布层导线而电性连接至所述的接合垫。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于育霈科技股份有限公司，未经育霈科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710307524.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
