[发明专利]非易失性存储系统和相关编程方法有效
| 申请号： | 200710307784.2 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101202109A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 崔珍赫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储系统包括主机、存储控制器和包含多级闪存单元的闪存芯片。存储控制器包括备份存储器，用于当进一步编程多级闪存单元失败时保存之前从多级闪存单元编程数据的备份拷贝。之前编程数据的备份拷贝用于在将之前编程数据再编程到非易失性存储系统中不同多级存储单元之前检测和纠正之前编程数据中的任何错误。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储系统 相关 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储系统，包括：包括多个多位存储单元的一存储阵列；和一存储控制器，包括：一缓冲存储器，用于存储在多个存储单元中所选存储单元中已编程的j-位数据；一修复存储器，用于保存从所选存储单元中读取的i-位数据；一失败位置检测器，用于根据从所选存储单元读取的j-位数据和缓冲存储器中存储的j-位数据之间的比较确定i-位数据中的位错误的位置；和一修复单元，用于修复在修复存储器中保存的i-位数据中的位错误。
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