[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。传感器包括衬底，在所述衬底上形成的底部电极、本征层和第一导电层，在第一导电层上形成的扩散阻挡膜，在扩散阻挡膜上形成的上部透明电极。因此，可以提供晶体管电路和光电二极管的垂直集成。此外，通过在第一导电层上执行等离子体处理防止泄漏电流并且增加了感光性。由于垂直集成的晶体管电路和光电二极管，填充因子可以达到100％，并且可以提供与具有相同像素大小的现有技术相比更高的灵敏度。相比现有技术可以减小相同分辨率的工艺成本。即使在图像传感器上实现更复杂的电路，没有减小每个单位像素的灵敏度。此外，通过本发明可以集成的附加的片内功能可以增加图像传感器的性能。此外，可以得到小型化设备并且减小生产成本。此外，采用垂直集成的光电二极管可以防止光电二极管内的缺陷。

主权项

1、一种图像传感器包括：包括电路的衬底；在所述衬底上连续形成的底部电极、本征层、第一导电层；在所述第一导电层上形成的扩散阻挡膜；和在所述扩散阻挡膜上形成的上部透明电极。