[发明专利]闪存器件以及形成该器件的方法

摘要

本发明涉及一种闪存器件以及形成该器件的方法，其中，单元栅图案包括以第一距离相互分开的第一部分和以小于第一距离的第二距离相互分开的第二部分，并且间隔层形成在单元栅图案的两个侧壁上。使用掩模图案去除形成于第二部分的侧壁上的间隔层。因此，可以防止具有小距离的第二部分之间间隙的纵横比增加。由于选择性去除了在以小距离相互分开的第二部分的侧壁上形成的间隔层，因此可以最小化第二部分之间的间隙纵横比的增加。由此可以解决由于空隙出现导致的各种问题。

主权项

1.一种方法，包括：在半导体衬底上方形成多个单元栅图案，该半导体衬底包括第一单元栅图案、与第一单元栅图案相邻的第二单元栅图案、与第二单元栅图案相邻的第三单元栅图案以及与第三单元栅图案相邻的第四单元栅图案，每一个单元栅图案都具有第一部分和第二部分，其中第二单元栅图案和第三单元栅图案的第一部分以第一距离相互分开，并且第二单元栅图案和第三单元栅图案的第二部分以小于第一距离的第二距离相互分开；在单元栅图案的两个侧壁上形成间隔层；形成覆盖单元栅图案的第一部分的掩模图案；使用掩模图案作为蚀刻掩模去除形成在单元栅图案第二部分的侧壁上的间隔层；以及去除掩模图案。