[实用新型]晶片结构、芯片结构与芯片封装结构无效
| 申请号： | 200720002279.2 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN201038161Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 许志行 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶片结构，其包括：基底、多个线路单元与多个电容元件。基底具有彼此相对的第一表面与第二表面，且这些线路单元配置于基底的第一表面上，而这些电容元件配置于基底内。各个电容元件包括两个电极部与介电部。各个电容元件的这些电极部由基底的第二表面延伸至基底内部，且各个电容元件的这些电极部电性连接至这些线路单元的其中之一，而各个电容元件的介电部配置于对应的这些电极部之间。此外，还公开了一种芯片结构与一种芯片封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 结构 芯片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种晶片结构，其特征在于，包括：具有第一表面与第二表面的基底；配置于该第一表面上的多个线路单元；以及配置于该基底内的多个电容元件，其中各个该电容元件包括：两个电极部，由该第二表面延伸至该基底内部并电性连接至该多个线路单元之一；以及介电部，配置于该两个电极部之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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