[实用新型]集成微结构的大功率发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 200720073753.0 申请日: 2007-08-17
公开(公告)号: CN201117676Y 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 刘胜;陈明祥;谢庆明;罗小兵;刘宗源;王恺;甘志银 申请(专利权)人: 广东昭信光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/473
代理公司: 上海市华诚律师事务所 代理人: 李平
地址: 528251广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种集成微结构的大功率发光二极管封装结构,主要包括陶瓷片、上铜片和下铜片,其特征在于所述两铜片通过直接键合铜(DBC)工艺键合在陶瓷片上下表面,并且下铜片表面或内部设有微通道。本实用新型的优点是发光芯片直接焊接在金属焊盘上,陶瓷基板上下表面都有铜层,热失配应力小,制作成本低,结构紧凑,有利于提高封装密度,并且微通道中可通入冷却液,大大提高了封装散热能力。
搜索关键词: 集成 微结构 大功率 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1.一种集成微结构的大功率发光二极管封装结构,主要包括:陶瓷片、上铜片和下铜片,其特征在于所述上铜片和下铜片通过直接键合铜(DBC)工艺键合在陶瓷片上下表面,并且在下铜片表面或内部设有微通道。
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