[实用新型]结构改良的发光二极管有效
| 申请号： | 200720125557.3 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN201126162Y | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴庆辉;吴志贤 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V21/00 | 分类号： | F21V21/00;F21V9/08;F21V19/00;F21V5/04;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管，该结构改良的发光二极管包括有一承载架、至少一发光芯片及一荧光层。其中该承载架形成一凹陷部；该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；而该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间可为真空或惰性气体，以避免降低激发荧光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空气而易造成发光芯片氧化与因氧化造成温度提高而降低整体的发光效率等问题，进而可提高发光二极管的发光效率与使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 改良 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种结构改良的发光二极管，其特征在于，包括：一承载架，该承载架形成一凹陷部；至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间为真空。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东贝光电科技股份有限公司，未经东贝光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200720125557.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
