[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200720141382.5 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN201044244Y | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑廷栋;曾文保;江新鉴 | 申请（专利权）人： | 亚帝欧光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型发光二极管的结构改良在封装体的顶面设有由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，俾可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的结构改良，其特征在于：在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。
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