[发明专利]吸收型多层膜ND滤光片及其制造方法无效
| 申请号： | 200780001633.2 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101361010A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 大上秀晴 | 申请（专利权）人： | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高龙鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 吸收型多层膜ND滤光片，在由树脂膜构成的基板的至少一个面上，具有交互层叠氧化物介电体膜层与吸收膜层而形成的吸收型多层膜，其特征在于，通过波长550nm的消光系数为0.005～0.05的SiCyOx膜(0＜y≤0.1、1.5＜x＜2)构成上述氧化物介电体膜层，该SiCyOx膜通过采用以SiC及Si作为主成分的成膜材料的物理气相生长法成膜；并且，通过波长550nm的折射率为1.5～3.0、消光系数为1.5～4.0的金属膜构成上述吸收膜层，该金属膜通过物理气相生长法成膜，同时，吸收型多层膜的最外层由上述氧化物介电体膜层构成。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 多层 nd 滤光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种吸收型多层膜ND滤光片，其在由树脂膜构成的基板的至少一个面上，具有交互层叠氧化物介电体膜层与吸收膜层而形成的吸收型多层膜，其特征在于，通过波长550nm的消光系数为0.005～0.05的SiCyOx膜构成上述氧化物介电体膜层，该SiCyOx膜通过采用以SiC及Si作为主成分的成膜材料的物理气相生长法成膜，其中，0＜y≤0.1、1.5＜x＜2；并且，通过波长550nm的折射率为1.5～3.0、消光系数为1.5～4.0的金属膜构成上述吸收膜层，该金属膜通过物理气相生长法成膜，同时，吸收型多层膜的最外层由上述氧化物介电体膜层构成。
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