[发明专利]包括沟槽电容器和沟槽电阻器的半导体结构有效
| 申请号： | 200780001663.3 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101379619A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;罗伯特·M·拉塞尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种结构和该结构的制造方法使用用于沟槽电容器的电容器沟槽(CT)和用于沟槽电阻器的电阻器沟槽(RT)。该结构典型地是半导体结构。在第一实例中，电容器沟槽(CT)具有比电阻器沟槽(RT)更窄的线宽尺寸(LWC)。沟槽线宽差异提供了制造沟槽电容器和沟道电阻器的有效方法。在第二实例中，沟槽电阻器包括在电阻器沟槽(RT)的外围的导体材料(18a、18b)和在电阻器沟槽(RT)的中心部分的电阻材料(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 电容器 电阻器 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括位于单个衬底(10)中的沟槽电容器和沟槽电阻器，其中用于所述沟槽电容器的电容器沟槽(CT)比用于所述沟槽电阻器的电阻器沟槽(RT)具有更窄的线宽尺寸(LWC)。
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