[发明专利]制造具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构和方法有效
| 申请号： | 200780001682.6 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101361186A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这里的实施例给出一种制作具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构、方法等。MOSFET电路包括接触线(500、1300)、邻近接触线(500、1300)的栅极(310、1210)。接触线(500、1300)包括小于栅极(310、1210)高度的高度。MOSFET电路还包括邻近栅极(310、1210)的栅隔离物(710、715、1610、1615)并且没有位于接触线(500、1300)和栅极(310、1210)之间的邻近接触线(500、1300)的接触线隔离物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 不同 高度 接触 高密度 mosfet 电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET电路，包括：接触线(500、1300)；和栅极(310、1210)，邻近所述接触线(500、1300)，其中所述接触线(500、1300)包括小于所述栅极(310、1210)高度的高度。
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