[发明专利]包括半导体不兼容材料的集成电路的制造无效
| 申请号： | 200780003548.X | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101375371A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·施尼特 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请描述了将半导体不兼容材料集成在为了制造集成电路中形成的无源电元件和有源电元件而提出的工序流程中的工艺。所述工艺可应用在已知的技术，例如用于半导体制造的双极型晶体管，MOS或BIMOS工艺中。描述的工艺的模块概念可结合二极管、电阻和电容器，所述元件由不同材料形成。即使在对于来自半导体不兼容材料的污染敏感的环境中，提供用于半导体不兼容材料的密封材料也能够实现集成电路制造。在制造工艺中早期提供密封使得污染的风险可降至最小。进一步，描述包括密封的半导体不兼容材料的集成电路元件和集成电路。半导体不兼容材料可以是含铅陶瓷，特别是锆钛酸铅镧(PLZT)，所述陶瓷可用于铁电电容器，并且其表现为特别是对于“重金属敏感”环境的高污染物质。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 半导体 兼容 材料 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路元件，特别是制造既包括半导体电元件(15)又包括非半导体电元件(31)的集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底(11)上形成半导体不兼容材料(21)层，使用密封材料(61)密封半导体不兼容材料(21)，和进一步处理集成电路，其中形成接触电极(81c，81d)以接触包括半导体不兼容材料(21)的元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780003548.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：余辉发光灯
- 下一篇：粉针剂无菌混药预灌封注射器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
