[发明专利]反射型TFT基板及反射型TFT基板的制造方法无效
| 申请号： | 200780005049.4 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101379539A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种反射型TFT基板。反射型TFT基板(1)具备：基板(10)；栅电极(23)及栅配线(24)；栅绝缘膜(30)；n型氧化物半导体层(40)；由通道部(41)分隔形成的金属层(60)；像素电极(67)；以使漏配线焊盘(68)及栅配线焊盘(25)露出的状态将玻璃基板(10)的上方覆盖的保护用绝缘膜(80)。所述金属层(60)作为漏配线(66)、源电极(63)、漏电极(64)及像素电极(67)发挥作用。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 tft 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反射型TFT基板，其特征在于，具有：基板；形成于所述基板的上方的栅电极及栅配线；形成于所述基板、所述栅电极及所述栅配线的上方的栅绝缘膜；形成于所述栅电极的上方的、所述栅绝缘膜的上方的氧化物层；在所述氧化物层的上方由通道部隔而形成的金属层；与源·漏电极电连接的像素电极，所述金属层至少作为所述像素电极及与所述像素电极连接的所述源·漏电极发挥作用。
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