[发明专利]磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法有效
| 申请号： | 200780006264.6 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101389972A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 阿恩·克莱默;莱恩哈德·布赫霍德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 为了进一步改进包括：至少一块晶片(10)，特别是至少一块硅晶片；以及至少一个传感元件(30)，特别是至少一个各向异性磁致电阻传感元件和/或至少一个巨磁电阻(GMR)传感元件，比如至少一个多层巨磁电阻(GMR)传感元件；其中所述传感元件(30)安置于基板和/或晶片(10)的上方和/或下方的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)，以及制造这样的磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)的相应方法，使得无需使用用于对传感元件(10)和/或磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)进行预置的外部或额外的偏磁场，提出将至少一个磁层(20t，20b)安置在基板或晶片(10)的上方(20t)和/或下方(20b)，并至少部分安置在传感元件(30)上方(20t)和/或下方(20b)，所述磁层(20t，20b)提供至少一个偏磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 传感器 设备 以及 制造 这样 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁致电阻传感器设备(100；100’；100”)，包括：-至少一块基板或晶片(10)，特别是至少一块硅晶片，以及-至少一个传感元件(30)，特别是--至少一个各向异性磁致电阻(AMR)传感元件和/或--至少一个巨磁电阻(GMR)传感元件，比如至少一个多层巨磁电阻(GMR)传感元件，所述传感元件(30)安置于基板或晶片(10)的上方和/或下方，其特征在于至少一磁层(20t，20b)：-安置于基板或晶片(10)的上方(20t)和/或下方(20b)，以及-至少部分安置于传感元件(30)的上方(20t)和/或下方(20b)，所述磁层(20t，20b)提供至少一个偏置磁场。
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