[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法有效

申请号：	200780008086.0	申请日：	2007-03-08
公开（公告）号：	CN101432850A	公开（公告）日：	2009-05-13
发明（设计）人：	上田和正;西川直宏;笠原健司	申请（专利权）人：	住友化学株式会社
主分类号：	H01L21/205	分类号：	H01L21/205;C30B29/38;H01L33/00;H01S5/323
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	朱丹
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及III-V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III-V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I-1)～(I-6)：(I-1)在衬底基板上配置无机粒子；(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I-4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I-5)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(I-6)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III-V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II-1)～(II-7)：(II-1)在衬底基板上配置无机粒子；(II-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II-3)去除无机粒子；(II-4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II-5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II-6)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(II-7)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。
搜索关键词：	氮化物半导体制造方法
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【主权项】：

1、一种III-V族氮化物半导体基板的制造方法，其包括以下工序(I-1)～(I-6)，其中，(I-1)在衬底基板上配置无机粒子，(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板形成凸部，(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜，(I-4)去除无机粒子，形成衬底基板的露出面，(I-5)使III-V族氮化物半导体在衬底基板的露出面上生长，(I-6)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。

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