[发明专利]DDR型沸石膜的制造方法有效
| 申请号： | 200780008881.X | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101400605A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 谷岛健二;中山邦雄 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04;B01D69/04;B01D69/06;B01D69/12;B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于包含了1-金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种(晶种)的情况下，水热合成DDR型沸石，由此在多孔基材表面形成DDR型沸石膜的方法，其中，1-金刚烷胺和二氧化硅的含有比例(1-金刚烷胺/二氧化硅)为0.002至0.4摩尔比，而水和二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10至500摩尔比，晶种的平均粒径为300nm以下。本发明提供了一种DDR型沸石膜的制造方法，其能够稳定地制造膜厚均匀、薄且气体透过量高的DDR型沸石膜。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 型沸石膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于含有1-金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种(晶种)的情况下，水热合成DDR型沸石，在所述多孔基体的表面形成DDR型沸石膜的方法，其特征在于，所述1-金刚烷胺和所述二氧化硅的含有比例(1-金刚烷胺/二氧化硅)为0.002～0.4摩尔比，所述水和所述二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10～500摩尔比，所述晶种的平均粒径为300nm以下。
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