[发明专利]硅化的非易失存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200780008885.8 | 申请日： | 2007-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101401200A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 埃尔温·J·普林茨;库－米恩·昌;罗伯特·F·施泰梅尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成在半导体衬底(12)上的存储器器件(10)。选择栅极(37)和控制栅极(33)彼此相邻地形成。选择栅极(37)或控制栅极(33)中的一个相对另一个被凹进。凹进允许可制造的工艺来在选择栅极和控制栅极上都形成硅化的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上方形成第一栅电极，其中所述第一栅电极包含硅；在所述半导体衬底上方并且邻近所述第一栅电极形成第二栅电极，其中所述第二栅电极包含硅；使所述第一栅电极相对所述第二栅电极凹进；在所述第一栅电极的第一部分上方形成硅化物电阻特性；在所述第一栅电极的第二部分上方形成第一硅化物；以及在所述第二栅电极上方形成第二硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
