[发明专利]在支撑衬底上通过外延获得的非晶材料中制造包括至少一个薄层的结构的方法和根据该方法获得的结构有效
| 申请号： | 200780008941.8 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101421837A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | X·埃布拉 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在支撑衬底上制造包括至少一个薄层的结构的方法，其特别在于它至少包括以下步骤：从所述的支撑衬底形成所谓的包括非晶体层、包含点缺陷并紧邻位于所述的非晶体层下面的第一晶体层、位于中间结构下部分的第二晶体层的中间结构；结合接收衬底到所述的中间结构上部面上；去除中间结构的形成有点缺陷的层使得非晶体层形成中间结构的上部面。本发明的另一目的涉及在支撑衬底上非晶体材料中包括至少一个薄层的衬底，其特别在于它包括接收衬底、中央晶体层和非晶体层，所述的接收衬底、晶体层和非晶体层没有任何EOR型点缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 支撑 衬底 通过 外延 获得 材料 制造 包括 至少 一个 薄层 结构 方法 根据 | ||
【主权项】：
1、一种在支撑衬底(32，52，62，82)上制造包括至少一个薄层的结构的方法，其特征在于它至少包括以下步骤：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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