[发明专利]用于半导体载体的低欧姆衬底通孔互连有效
| 申请号： | 200780010965.7 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101410972A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | G·福格特米尔;R·斯特德曼;R·多沙伊德;J·约恩克斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于半导体衬底(600)上形成的电子芯片的低欧姆晶片通孔互连(TWI)。该TWI包括在衬底(600)的前表面和背表面之间延伸的第一连接部(610)。第一连接部(610)包括填充有低欧姆材料的通孔，该材料的电阻率低于多晶硅。该TWI还包括也在前表面和背表面之间延伸的第二连接部(615)。第二连接部(615)与第一连接部(610)在空间上由半导体衬底(600)的至少一部分隔开。前表面设有集成电路布置(620)，其中，第一连接(610)电耦合到集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透集成电路布置(620)。在处理TWI期间，首先可以用非金属材料，例如多晶硅来填充通孔。当在前表面上形成集成部件(620)之后，可以减薄衬底(600)，并可以用低欧姆材料，尤其是金属材料来替代非金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 载体 欧姆 衬底 互连 | ||
【主权项】：
1、一种半导体载体结构，包括：具有前表面(101)和相反的背表面(102)的半导体衬底(100，600)，在所述前表面(101)和所述背表面(102)之间延伸的第一连接部(610)，其中所述第一连接部(610)包括用电阻率低于多晶硅的低欧姆材料填充的通孔，以及在所述前表面(101)和所述背表面(102)之间延伸的第二连接部(615)，其中-通过所述半导体衬底(600)的至少一部分使所述第一连接部(610)和所述第二连接部(615)在空间上彼此隔开，-所述前表面设有集成电路布置(620)，并且-所述第一连接部(610)电耦合到所述集成电路布置(620)的至少一个节点而不穿透所述集成电路布置(620)。
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