[发明专利]以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法有效
| 申请号： | 200780012443.0 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101416286A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | C·S·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示的为一种在处理室中处理半导体基材的方法，包括利用一种两-步骤退火的工艺来形成氧氮化硅膜层。第一退火步骤包括在分压约1～100毫托耳的氧化气体下将该氧氮化硅膜退火，且第二退火步骤包括在流速约1slm的氧气下将该氧氮化硅膜退火。第一退火步骤是在比第二退火步骤更高温且更高压力下实施。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 步骤 形成 氧化 栅极 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用以处理半导体基材的方法，包含：形成氧氮化硅膜层；在分压约1～100毫托耳的氧化气体存在下，将该氧氮化硅膜层退火；及以分压约0. 5～3.0托耳的氧气，将该氧氮化硅膜层退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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