[发明专利]用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列无效

专利信息
申请号: 200780012926.0 申请日: 2007-04-12
公开(公告)号: CN101421848A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: R·A·梅茨勒;A·O·古什查 申请(专利权)人: 森米科公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列。公开了实施例,其使用每一像素具有单个光电传感器和晶体管或每一像素具有多个光电传感器和晶体管的双极晶体管和JFET。
搜索关键词: 用于 计算机 断层 成像 其它 应用 背照式 光电晶体管 阵列
【主权项】:
1. 一种光电晶体管阵列,包括:具有第一和第二面的第一导电类型的衬底;在衬底的第一面上形成;具有比衬底更高电导率的第一导电类型的隔离区域的矩阵;散布在隔离区域的矩阵内的第二导电类型的第一区域;在隔离的矩阵内的第一导电类型的集电极区域;在隔离区域的矩阵内并与第一区域和集电极区域接触的第二导电类型的基极区域;在隔离区域的矩阵内并与基极区域接触的第一导电类型的发射极区域;和电耦合到发射极区域、隔离区域和集电极区域的接触区域;衬底的第二面具有比衬底更高电导率的第一导电类型的层并且电耦合到集电极区域和隔离区域的矩阵。
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