[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜无效
| 申请号： | 200780014091.2 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101427358A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 奥屋珠生;有贺广志;樋口义明 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C33/68 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供气体透过性显著较低，由模塑树脂导致的模具污染非常少，具有高脱模性的脱模膜。它是气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，此外作为金属氧化物层，较好的是氧化铝、氧化硅或氧化镁等的氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 树脂 模塑用 脱模 | ||
【主权项】：
1. 气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且所述脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
