[发明专利]用于集体制造小体积高精度膜片和腔的方法无效
| 申请号： | 200780015242.6 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101432223A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 若埃尔·科莱;斯特凡娜·尼古拉;克里斯蒂安·皮斯埃拉 | 申请（专利权）人： | 电子微系统公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;F04B43/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在晶片中集体制造具有给定厚度d的腔和/或膜片(24)的方法，该晶片是绝缘体上半导体层，在绝缘层上包括至少一个具有厚度d的半导体表面层，该绝缘层本身被支撑在衬底上，该方法包括：对具有厚度d的半导体表面层进行蚀刻，绝缘层形成阻止层，以在表面层中形成腔和/或膜片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集体 制造 体积 高精度 膜片 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制成封闭或半封闭空间的方法，涉及第一绝缘体上半导体类型晶片和第二绝缘体上半导体类型晶片，所述晶片中的每个晶片均包括在电绝缘层(6,404,406)上的至少一个半导体表面层(4,404,440)，所述绝缘层本身被支撑在衬底(8，408)上，所述方法包括：在所述第一绝缘体上半导体类型晶片和所述第二绝缘体上半导体类型晶片中，对所述半导体表面层进行蚀刻，所述绝缘层形成阻止层，以制成至少一个腔和/或膜片；对准所述两个晶片；组合所述两个晶片；以及在组合所述两个晶片之后，对所述两个晶片中的至少一个执行减薄步骤。
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