[发明专利]具有完全独立的部分阵列刷新功能的动态随机存取存储器有效

专利信息
申请号: 200780015485.X 申请日: 2007-03-28
公开(公告)号: CN101432818A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 金镇祺;吴学俊 申请(专利权)人: 莫塞德技术公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C11/403;G11C8/12
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 王 勇;姜 华
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 一种动态随机存取存储器设备包括多个存储器子块。每一子块具有多个字线,每一字线连接多个数据存储单元。独立进行部分阵列自刷新(PASR)配置设置。根据所述PASR设置,寻址存储器子块用于刷新。PASR设置由存储器控制器做出。可以选择子块地址的任意一种组合。因此,完全独立刷新存储器子块。用于数据保持的用户可选择的阵列提供有效的存储器控制编程,特别适于低功率移动应用。
搜索关键词: 具有 完全 独立 部分 阵列 刷新 功能 动态 随机存取存储器
【主权项】:
1、一种动态随机存取存储器(DRAM)设备,包括:具有M个存储器子块的存储器,M为大于1的整数,每一子块具有多个字线,每一字线连接多个数据存储单元,通过刷新操作刷新这些单元;和刷新电路,用于根据独立设置的M个子块刷新数据在刷新模式中控制存储器子块的刷新。
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