[发明专利]CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法无效

专利信息
申请号: 200780015771.6 申请日: 2007-03-29
公开(公告)号: CN101432891A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 栉屋胜巳;栗谷川悟 申请(专利权)人: 昭和砚壳石油株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/032
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;陈立航
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光的照射而恢复变换效率等的特性进行评价。在CIS系薄膜太阳电池模块的以往的高温高湿保管试验条件(在温度85℃、相对湿度85%、在黑暗中保存1000小时)中,保持上述温度、湿度以及保存时间不变,调整光源(1E)的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)(1D)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光的辐射照度、即100~300W/m2并在整个试验期间持续进行照射,由此能够适当地对以开路状态保管的上述模块(2’)经过1000小时后也不会出现大幅度的劣化的特性进行评价。
搜索关键词: cis 薄膜 太阳电池 模块 改进 耐久性 试验 方法
【主权项】:
1. 一种CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法,是能够适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光照射而恢复变换效率等的特性进行评价的耐久性试验方法,其特征在于,对作为上述耐久性试验的对象的CIS系薄膜太阳电池模块进行在温度85℃、相对湿度85%的比较高的温度、比较高的湿度的条件下在黑暗中保存1000小时的试验、即DampHeat试验时,保持上述温度、湿度以及保存时间不变,调整Xe灯等的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光并在整个试验期间持续进行照射来测量各种太阳电池特性。
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