[发明专利]CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法无效
申请号: | 200780015771.6 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101432891A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 栉屋胜巳;栗谷川悟 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/032 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光的照射而恢复变换效率等的特性进行评价。在CIS系薄膜太阳电池模块的以往的高温高湿保管试验条件(在温度85℃、相对湿度85%、在黑暗中保存1000小时)中,保持上述温度、湿度以及保存时间不变,调整光源(1E)的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)(1D)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光的辐射照度、即100~300W/m2并在整个试验期间持续进行照射,由此能够适当地对以开路状态保管的上述模块(2’)经过1000小时后也不会出现大幅度的劣化的特性进行评价。 | ||
搜索关键词: | cis 薄膜 太阳电池 模块 改进 耐久性 试验 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法,是能够适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光照射而恢复变换效率等的特性进行评价的耐久性试验方法,其特征在于,对作为上述耐久性试验的对象的CIS系薄膜太阳电池模块进行在温度85℃、相对湿度85%的比较高的温度、比较高的湿度的条件下在黑暗中保存1000小时的试验、即DampHeat试验时,保持上述温度、湿度以及保存时间不变,调整Xe灯等的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光并在整个试验期间持续进行照射来测量各种太阳电池特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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