[发明专利]提高HVMOS器件性能的方法

摘要

公开的方法可制造具有变化的沟道长度和基本相似的阈值电压的漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)器件。为第一和第二器件选择阈值电压。形成第一和第二阱区域(204)。第一和第二漏极扩展区域(206)形成于所述阱区域内。第一和第二背栅(208)区域根据选择的阈值电压形成于所述阱区域内。第一和第二栅极结构形成于具有变化的沟道长度的第一和第二阱区域的上方。第一源极区域(212)形成于第一背栅区域之内并且第一漏极区域形成于第一漏极扩展区域之内。第二源极区域形成于第二背栅区域内并且第二漏极区域形成于漏极扩展区域内。

主权项

1. 一种制造漏极扩展的半导体器件的方法，所述方法包括：形成第一阱区域于设计用于具有第一沟道长度的器件的半导体主体的第一区域内；形成第二阱区域于设计用于具有第二沟道长度的器件的半导体主体的第二区域内；根据共有的阈值电压形成背栅阱区域于所述第一和第二区域内，其中所述第一和第二区域中形成的所述背栅阱区域具有相等的背栅长度和掺杂浓度；形成第一漏极扩展于所述第一区域内；形成第二漏极扩展区域于所述第二区域内；根据所述第一沟道长度形成第一栅极结构于所述第一区域内；根据所述第二沟道长度形成第二栅极结构于所述第二区域内；形成第一漏极区域于所述第一漏极扩展区域内；形成第二漏极区域于所述第二漏极扩展区域内；形成第一源极区域于所述第一区域内的所述背栅阱区域内；以及形成第二源极区域于所述第二区域内的所属背栅阱区域内。