[发明专利]高频用途电子部件用材料和由该材料形成的高频用途电子部件有效
| 申请号： | 200780016480.9 | 申请日： | 2007-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101437893A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 国本荣起;宫崎广隆 | 申请（专利权）人： | 宝理塑料株式会社 |
| 主分类号： | C08L45/00 | 分类号： | C08L45/00;B32B15/08;C08L53/02;C08L65/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供高频用途电子部件用材料和由该材料形成的高频用途电子部件，所述材料不失环状烯烃系树脂所具有的各种特性，具有适合在高频带使用的介电特性，同时，具有良好的镀敷性、且与镀敷的金属层密合力高，并且耐冲击性也优异。所述材料为包含(A)环状烯烃系树脂和(B)弹性体成分的组合物，组合物中的(A)环状烯烃系树脂与(B)弹性体成分的配合比例以及(B)弹性体成分中所含的不饱和双键的比例在特定范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 用途 电子 部件 用材 材料 形成 | ||
【主权项】：
1. 一种高频用途电子部件用材料，其含有：60质量份以上且90质量份以下的含有环状烯烃成分作为共聚物成分的(A)环状烯烃系树脂、10质量份以上且40质量份以下的(B)弹性体成分，前述(B)弹性体成分中的、通过碘值法(依据JIS K 6235)测得的不饱和双键部分的含量为4×10-4mol/g以上且23×10-4mol/g以下，由前述高频用途电子部件用材料形成的成型体通过空腔谐振法用摄动法测得的1～10GHz下的介电损耗(tanδ)为13×10-4以下。
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