[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质无效
| 申请号： | 200780020664.2 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101461041A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 瀬川澄江 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3063;C23C18/31;C25D5/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质。该半导体装置的制造方法，是对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板(W)进行蚀刻处理或成膜处理的方法，该规定的图案由开口形成，该半导体装置的制造方法包括：将液体和气体混合，在上述液体中产生直径比上述半导体装置制造用的基板(W)上形成的上述开口的尺寸更小、且带电的纳米泡(85)的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；形成用于将上述纳米泡(85)引至上述基板的表面的电场的工序；和形成上述电场，同时向上述基板供给含有上述纳米泡(85)的液体并进行处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置的制造方法，其为对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板进行蚀刻处理或成膜处理的半导体装置的制造方法，其中，该规定的图案是由开口形成的图案，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：将液体和气体混合，在所述液体中产生直径比所述半导体装置制造用的基板上形成的所述开口的尺寸更小、且通过液体和气体的混合而带电的纳米泡的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；为了将所述纳米泡引至所述基板的表面而形成电场的工序；和形成所述电场，同时向所述基板供给含有所述纳米泡的液体并进行处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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