[发明专利]成膜装置、成膜方法、计算机程序和存储介质无效
| 申请号： | 200780021133.5 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101466864A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 松本贤治;小池淳一;根石浩司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在成膜方法中，首先向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体。向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，加热被处理体。然后通过热处理在被处理体的表面凹部上形成薄膜。由此能够用铜膜填埋被处理体的表面凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 计算机 程序 存储 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种成膜方法，其特征在于，包括：向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体的工序；和向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，并加热被处理体，通过热处理在被处理体的表面形成薄膜的工序。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
