[发明专利]半导体熔丝结构及制造半导体熔丝结构的方法无效
| 申请号： | 200780021211.1 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101467250A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 克莱尔·雷蒙特;托比亚斯·S·多恩 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体熔丝结构，包括具有表面的衬底(1)，该衬底(1)在表面处具有场氧化物区(3)，该熔丝结构还包括熔丝本体(FB)，熔丝本体(FB)包括多晶硅(PLY)，熔丝本体(FB)位于场氧化物区(3)上方并且沿着电流流动的方向(CF)延伸，其中通过使电流流经熔丝本体(FB)而使熔丝结构可编程，其中所述熔丝本体(FB)沿着电流流动的方向(CF)具有拉伸应变，并且沿着与衬底的所述表面垂直的方向(Z)具有压缩应变。本发明还涉及制造这种半导体熔丝的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体熔丝结构，包括具有表面的衬底(1)，该衬底(1)在表面处具有场氧化物区(3)，该熔丝结构还包括熔丝本体(5)，熔丝本体(FB)包括多晶硅(PLY，PLYS)，熔丝本体(FB)位于场氧化物区(3)上方并且沿着电流流动的方向(CF)延伸，其中通过使电流流经熔丝本体(FB)而使熔丝结构可编程，其特征在于所述熔丝本体(FB)沿着电流流动的方向(CF)具有拉伸应变，并且沿着与衬底的所述表面垂直的方向(Z)具有压缩应变。
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