[发明专利]在用一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中使用的喷嘴装置和遮挡结构有效
| 申请号： | 200780025698.0 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101484974A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | J·D·柯林斯;D·德科雷克;T·A·加斯特;A·D·罗斯 | 申请（专利权）人： | FSI国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘志强 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于采用一种或多种处理材料来处理微电子工件的工具，所述处理材料包括液体、气体、流化固体、这些的组合物等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多种 处理 流体 微电子 工件 工具 使用 喷嘴 装置 遮挡 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种用于处理微电子工件的设备，它包括：a)处理腔室，在处理期间在所述处理腔室中布置有工件；b)遮挡结构，其包括在处理期间叠置在工件上方并且至少部分地覆盖工件的下表面；以及c)抽吸通道，其以使得在下表面上的液体能够从挡板的下表面上抽吸回的方式与遮挡结构流体连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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