[发明专利]高压双极-CMOS-DMOS集成电路器件及其模块形成方法

摘要

一种全低温工艺用于在不包括外延层的衬底中制造各种半导体器件。所述器件包括非隔离的横向DMOS、非隔离的延伸漏极或漂移的MOS器件，横向沟槽DMOS、隔离的横向DMOS、JFET和耗尽模式器件、以及P-N二极管箝位和整流器和结端区。由于所述工艺消除了对于高温工艺的需求并且采用“注入原样”掺杂分布，所以它们构成允许器件对于IC被添加或省略而无需更改用于生产剩下的器件的工艺的模块架构。

主权项

1.一种在半导体衬底中制造横向DMOS晶体管的工艺，所述衬底是第一导电类型的并且不包括外延层，所述工艺包括：在所述衬底的表面形成场氧化物层；在所述衬底的表面上形成与所述场氧化物层横向间隔开的第一掩模层；将第二导电类型的掺杂剂注入所述衬底，从而形成第二导电类型的共形漂移区，所述漂移区具有在接近所述场氧化物层的第一边的区域中的第一较深部、在接近于所述场氧化物层的第二边的区域中的第二较深部、和在所述场氧化物层下面的较浅部；在所述漂移区的第一和第二较深部和相邻于所述漂移区的第一较深部的衬底的区域上方形成第二掩模层；注入第一导电类型的掺杂剂，从而形成体区；在所述漂移区的第一较深部上方并且在所述体区和所述漂移区的第一较深部之间的衬底的区域上方形成栅极电介质层；并且在所述栅极电介质层上方形成栅极。