[发明专利]使用基准进行感测的存储器电路无效

专利信息
申请号: 200780028041.X 申请日: 2007-05-03
公开(公告)号: CN101496108A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 乔恩·S·乔伊;塔赫米那·阿克特尔 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陆锦华;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 存储器(12)包括:多个存储器单元(12);耦合到所述多个存储器单元中的至少一个的读出放大器(18);温度相关电流生成器(26),包括多个可选择的温度相关电流源(52-62)用于生成温度相关电流;温度无关电流生成器(28)包括多个可选择的温度无关电流源(70,72,74)用于生成温度无关电流;以及耦合到所述温度相关电流生成器(26)和温度无关电流生成器(28)的加法器(30),用于将温度相关电流和温度无关电流组合以生成由读出放大器(18)使用的基准电流。基准电流的温度系数与所述多个存储器单元中的至少一个的存储器单元电流的温度系数大致相同。
搜索关键词: 使用 基准 进行 存储器 电路
【主权项】:
1.一种存储器,包括:多个存储器单元;读出放大器,耦合到所述多个存储器单元中的至少一个;以及基准电流生成器,被耦合用于生成所述读出放大器的基准电流,所述基准电流生成器生成温度相关电流及温度无关电流,所述基准电流生成器从所述温度相关电流和所述温度无关电流中生成所述基准电流。
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