[发明专利]制造半导体器件的方法和利用该方法获得的半导体器件

摘要

本发明涉及一种用于制造具有半导体主体(1)的半导体器件(10)的方法，所述半导体主体(1)配备有至少一个半导体元件，其中，在所述半导体主体(1)的表面上形成台形半导体区域(2)，在所述台形半导体区域(2)之上沉积掩模层(3)，去除所述掩模层(3)中的位于所述台形半导体区域(2)的顶部附近的与所述台形半导体区域(2)的侧表面接界的部分(3A)，并在所得到的结构上形成导电连接区域(4)，其形成了用于所述台形半导体区域(2)的接触。根据本发明，在去除所述掩模层(3)的所述部分(3A)之后，但在形成所述导电连接区域(4)之前，在通过去除所述掩模层(3)的所述部分(3A)而露出的所述台形半导体区域(2)的侧表面上，利用额外的半导体区域(5)来加宽所述台形半导体区域(2)。通过这种方式，可以以简单的方法获得接触电阻非常低的器件(10)。优选地，通过诸如VLS等另外的外延生长工艺来形成作为纳米线的所述台形半导体区域(2)。例如，可以利用MOVPE来获得所述额外的区域(5)。

主权项

1、一种用于制造具有半导体主体(1)的半导体器件(10)的方法，所述半导体主体(1)配备有至少一个半导体元件，其中，在所述半导体主体(1)的表面上形成台形半导体区域(2)，在所述台形半导体区域(2)之上沉积掩模层(3)，去除所述掩模层(3)中的位于所述台形半导体区域(2)的顶部附近的与所述台形半导体区域(2)的侧表面接界的部分(3A)，并在所得到的结构上形成导电连接区域(4)，其形成了用于所述台形半导体区域(2)的接触，所述方法的特征在于：在去除所述掩模层(3)的所述部分(3A)之后，但在形成所述导电连接区域(4)之前，在通过去除所述掩模层(3)的所述部分(3A)而露出的所述台形半导体区域(2)的侧表面上，利用额外的半导体区域(5)来加宽所述台形半导体区域(2)。