[发明专利]使用前端预充电的存储器有效
申请号: | 200780031629.0 | 申请日: | 2007-07-06 |
公开(公告)号: | CN101542629A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | G·R·莫汉·拉奥 | 申请(专利权)人: | S.阿夸半导体有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 胜;杨红梅 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 对数字存储器(2904)进行操作的方法、设备和系统(2900),其中,包括多个存储单元(713)的数字存储器件(2904)接收用于对存储单元(713)的组执行操作的命令,其中所述存储单元(713)的组包含少于所有器件(2904)的存储单元,并且其中所述器件(2904)响应于所接收到的命令对与所述存储单元(713)的组相关联的位线(709)的组进行选择性预充电。 | ||
搜索关键词: | 使用 前端 充电 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种操作数字存储器的方法,包括:由包括多个存储单元以及与所述存储单元相关联的多个位线的数字存储器件接收用于对所述多个存储单元的子组执行操作的命令,所述子组包括比所述多个存储单元少的存储单元;以及响应于所接收的命令,对所述多个存储单元的所述子组执行操作,所述操作包括在所述操作的前端仅对与所述存储单元的子组相关联的位线子组进行预充电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.阿夸半导体有限公司,未经S.阿夸半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780031629.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超导线圈及用于该超导线圈的超导体
- 下一篇:用于可移除介质的驱动器指示机构