[发明专利]制造半导体基板中的垂直接触的方法有效
| 申请号： | 200780034451.5 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101517719A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡娜·莫雷尔;阿诺尔德斯·登德克尔;伊丽莎白·C·罗登伯格;埃里克·C·E·范格伦斯文 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/3065;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供一种集成电路(100)，其包括硅基板(140)和在通孔中从基板的第一侧延伸到第二侧的互连部分(130)。该互连部分与基板第一侧上的金属化层(120)耦接并被提供在非晶硅层上，该非晶硅层存在于通孔的侧壁处，特别是存在于通孔与基板的第一侧相邻的边缘处。互连部分包括镍和银的金属叠层。形成非晶硅层的优选方式是溅射蚀刻技术。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 中的 垂直 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，所述集成电路包括一个具有第一侧和反面的第二侧的半导体材料的基板，所述方法包括步骤：在基板的第一侧上提供金属化层；形成一个从基板的第一侧延伸到第二侧的通孔；以及向通孔的侧壁提供导电层以形成一个与基板的第一侧上的金属化层耦接的互连部分，其中在提供导电层之前先在通孔中形成一个非晶硅层，并且对导电层进行选择以使非晶硅层不会被损坏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
